Analiza procesu czyszczenia na mokro rdzenia

Oct 21, 2025

Zostaw wiadomość

I. Standardowe mycie RCA

Metoda czyszczenia RCA to klasyczna sekwencja czyszczenia na mokro, która składa się z dwóch głównych etapów:

Roztwór czyszczący SC1

Skład: Amoniak, nadtlenek wodoru i woda dejonizowana miesza się w proporcji NH4O:H2O2:H2O=1:2:10

Warunki procesu: Temperatura jest zwykle kontrolowana na poziomie 50 ± 3 stopni. Funkcja: Roztwór służy głównie do usuwania cząstek stałych z powierzchni płytek krzemowych i może usuwać niewielkie ilości materii organicznej i niektórych zanieczyszczeń metalami lekkimi. Mechanizm jest taki, że amoniak już w niewielkiej ilości równomiernie trawi powierzchnię krzemu, a jednocześnie nadtlenek wodoru utlenia powierzchnię i sprawia, że ​​cząsteczki pod wpływem odpychania elektrostatycznego odpadają, regulując potencjał powierzchniowy

Płyn czyszczący SC2

Skład: kwas solny, nadtlenek wodoru i woda dejonizowana

HCl:H₂O2: H2Warunki procesu mieszania w stosunku O=1:2:5: temperatura również wynosi 50±3 stopni. Funkcja: Podstawową funkcją tego rozwiązania jest usuwanie zanieczyszczeń metalicznych. Kwas solny może tworzyć rozpuszczalne kompleksy chloru z różnymi jonami metali, dzięki czemu skutecznie rozpuszcza i usuwa zanieczyszczenia metalami ciężkimi, takimi jak metale alkaliczne i metale przejściowe.

II.Sprzątanie SPM

SPM to silny środek czyszczący stosowany do usuwania uporczywych substancji organicznych

Skład: Kwas siarkowy i nadtlenek wodoru miesza się w proporcji H₂SO4:H2O2,=5∶1 Warunki procesu: przeprowadzany w wysokiej temperaturze 130±5 stopni,

Funkcja: stosowany głównie do usuwania fotorezystu i innych złożonych zanieczyszczeń organicznych. Stężony kwas siarkowy-o wysokiej temperaturze zapewnia silne utlenianie i odwodnienie oraz może skutecznie rozkładać substancje organiczne.

0010-20351 6 CALOWY MODUŁ LAMPY DEGAS 350C PVD

III.Trawienie krzemionką: DHF i BHF/BOE

Ta seria procesów służy do kontrolowanego trawienia warstw nośnika krzemionkowego.

1.DHF

Wprowadzenie: To znaczy rozcieńczony kwas fluorowodorowy.

Typowy stosunek: Stosunek rozcieńczenia objętościowego HF (49%): H2O=1:100 lub 1:10.

Warunki procesu: Zazwyczaj przeprowadza się w temperaturze 25±1 stopnia.

Funkcja: Do trawienia termicznie uprawianej krzemionki i usuwania natywnej warstwy tlenku z powierzchni krzemu. Równanie reakcji to: SiO2+6HF=H2SiF6. +2H2O. Po usunięciu pierwotnej warstwy tlenku powierzchnia krzemu staje się hydrofobowa.

2.BHF/BOE

Wprowadzenie: To znaczy buforowany kwas fluorowodorowy składający się z kwasu fluorowodorowego i fluorku amonu. Typowy stosunek: NH4F:HF=10:1 (powszechnie używane)

Warunki procesu: Temperatura jest zwykle kontrolowana na poziomie 25/26,5 ± 1 stopnia

Funkcja i zasada: Służy do uzyskania równomiernego i stabilnego trawienia krzemionki. Buforujące działanie fluorku amonu utrzymuje stężenie jonów HFz w roztworze, stabilizuje szybkość trawienia i zapobiega problemom z powtarzalnością procesu spowodowanym wahaniami stężenia HF. Jednocześnie stabilna wartość pH pozwala uniknąć erozji maski fotorezystowej.

IV.Czyszczenie HPO: selektywne trawienie azotkiem krzemu

Termiczny kwas fosforowy służy do selektywnego usuwania warstwy azotku krzemu

Warunki procesu: Stosuje się kwas fosforowy o stężeniu 86%, poddawany obróbce w wysokiej temperaturze 160 ± 5 stopni.

Funkcja: Proces ten umożliwia równomierne wytrawianie azotku krzemu przy niskiej szybkości trawienia na krzemionce, dzięki czemu charakteryzuje się wysokim współczynnikiem wytrawiania azotku krzemu/tlenku krzemu i jest często stosowany do selektywnego usuwania masek z azotku krzemu lub warstw zatrzymujących na warstwach tlenku krzemu.

V. Czyszczenie rozpuszczalnikiem

Czyszczenie rozpuszczalnikiem stosuje się w przypadku zanieczyszczeń organicznych, których nie można usunąć roztworami-na bazie wody. Skład: zwykle zawiera hydroksyloaminę i środek kompleksujący, a często wykorzystuje IPA (alkohol izopropylowy) lub NMP (N-metylopirolidon) jako współrozpuszczalnik-w celu poprawy skuteczności czyszczenia.

Warunki procesu: w temperaturze 75±5 stopni, obróbka przez około 20 minut,

Funkcja: Specjalnie zaprojektowany do usuwania pozostałości polimerów i uporczywych fotomasek powstałych po trawieniu na sucho i implantacji jonów.

Uwaga: proces ten powoduje lekkie trawienie folii metalowych, takich jak aluminium i miedź, a jego wpływ na warstwę metalu należy uwzględnić w procesie integracji.

Wyślij zapytanie